%0 Journal Article
%T 用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究
%A 邢启江
%A 王舒民
%A 王若鹏
%A 陈娓兮
%A 章蓓
%A 赵沧桑
%A 党小忠
%A 虞丽生
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上电子到重、轻空穴带很强的自由激子跃迁峰,两峰间隔为8.3meV,在低温条件下光致发光谱的半高宽度为20meV。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=207D7713D101F6DCC7B852A9CE2752BD&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=DFBC046213B3DD86&eid=B34BDD6A690A04C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0