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半导体学报 1993
InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H~+轰击掩膜研究Keywords: 半导体激光器,InGaAsP／InP,共腔 Abstract: 在InP H~+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H~+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。
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