%0 Journal Article
%T InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H~+轰击掩膜研究
%A 张权生
%A 吕卉
%A 杜云
%A 马朝华
%A 吴荣汉
%A 高洪海
%A 高文智
%A 芦秀玲
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 在InP H~+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H~+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。
%K 半导体激光器
%K InGaAsP／InP
%K 共腔
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6F24E8DC65BAFC38&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=12AD09BCF4A6E651&eid=41A78CBB5BAB6860&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2