Unified Degradation Model in Low Gate Voltage Range DuringHotCarrier Stressing of pMOS Transistors
热载流子应力下p-MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型(英文)

研究了低栅电压范围的热载流子统一退化模型 .发现对于厚氧化层的 p- MOSFETs主要退化机制随应力电压变化而变化 ,随着栅电压降低 ,退化机制由氧化层俘获向界面态产生转变 ,而薄氧化层没有这种情况 ,始终是界面态产生 ;此外退化因子与应力电压成线性关系 .最后得出了不同厚度的 p- MOSFETs的统一退化模型 ,对于厚氧化层 ,退化由电子流量和栅电流的乘积决定 ,对于薄氧化层 ,退化由电子流量决定