BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．