%0 Journal Article
%T BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析
%A 张廷庆
%A 刘家璐
%A 李建军
%A 赵元富
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．
%K SIMS技术
%K 硅
%K 多晶硅
%K 单晶硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45EDE6955846B56E8D&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=B344543C2864D684&eid=6DE26652A1045643&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4