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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Study of Bottom-Gate μc-Si TFTs
底栅微晶硅薄膜晶体管
Li Juan, Zhang Xiaodan, Liu Jianping, Zhao Shuyun, Wu Chuny, Meng Zhiguo, Zhang Fang, Xiong Shaozhen,
李娟, 张晓丹, 刘建平, 赵淑云, 吴春亚, 孟志国, 张芳, 熊绍珍
Keywords: 微晶硅,底栅薄膜晶体管,起始层,硅烷浓度,晶化体积比,底栅微晶硅,薄膜晶体管,条件关系,沉积工艺,体积比,薄膜晶化,硅基薄膜,特性,影响,有源层,作用,材料生长,栅绝缘层,SiNx,层厚度,减薄,硅烷浓度,发现,问题,孵化
Abstract:
对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用. Full-Text
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