%0 Journal Article
%T Study of Bottom-Gate μc-Si TFTs<br>底栅微晶硅薄膜晶体管
%A Li Juan
%A Zhang Xiaodan
%A Liu Jianping
%A Zhao Shuyun
%A Wu Chuny
%A Meng Zhiguo
%A Zhang Fang
%A Xiong Shaozhen
%A <br>李娟
%A 张晓丹
%A 刘建平
%A 赵淑云
%A 吴春亚
%A 孟志国
%A 张芳
%A 熊绍珍
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.
%K 微晶硅
%K 底栅薄膜晶体管
%K 起始层
%K 硅烷浓度
%K 晶化体积比
%K 底栅微晶硅
%K 薄膜晶体管
%K 条件关系
%K 沉积工艺
%K 体积比
%K 薄膜晶化
%K 硅基薄膜
%K 特性
%K 影响
%K 有源层
%K 作用
%K 材料生长
%K 栅绝缘层
%K SiNx
%K 层厚度
%K 减薄
%K 硅烷浓度
%K 发现
%K 问题
%K 孵化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=34F8E723FCB4FF42&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9D6E80F951A5107A&eid=49833082E2634437&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8