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ISSN: 2333-9721
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用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列

Keywords: 砷化铟,磷化铟,MOCVD,砷化镓

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Abstract:

提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法,通过低压MOCVD技术在InP衬底上利用GaAs张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的InAs岛状结构.

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