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Keywords: 砷化铟,磷化铟,MOCVD,砷化镓
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提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法,通过低压MOCVD技术在InP衬底上利用GaAs张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的InAs岛状结构.
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