%0 Journal Article
%T 用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列
%A 王本忠
%A 赵方海
%A 彭宇恒
%A 刘式墉
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法，通过低压ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上利用ＧａＡｓ张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ岛状结构．
%K 砷化铟
%K 磷化铟
%K MOCVD
%K 砷化镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79B507B13E3B4A66&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=6ED15D8DCB279BC4&eid=CA5852BD1A173B3A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3