Influence of voltage on photo-electrochemical etching of n-type macroporous silicon arrays
电压对N型宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响

研究了电压对宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响. 根据空间电荷区理论、N型硅片在HF酸溶液中I-V扫描曲线、不同电流密度条件下硅阳极氧化反应机理，系统地分析研究了腐蚀电压对宏孔硅阵列形貌的影响.研究结果表明：电压升高使孔型变差，电压降低则盲孔率提高，腐蚀电压恒定、长时间腐蚀孔将逐渐分叉。根据理论分析，优化了工艺参数，制备出高长径比宏孔硅阵列结构，孔深度为317 m，方孔边长为3 m，长径比为105。