%0 Journal Article
%T Influence of voltage on photo-electrochemical etching of n-type macroporous silicon arrays<br>电压对N型宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响
%A Wang Guozheng
%A Fu Shencheng
%A Chen Li
%A Wang Ji
%A Qin Xulei
%A Wang Yang
%A Zheng Zhongkui
%A Duanmu Qingduo
%A <br>王国政
%A 付申成
%A 陈立
%A 王蓟
%A 秦旭磊
%A 王洋
%A 郑仲馗
%A 端木庆铎
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 研究了电压对宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响. 根据空间电荷区理论、N型硅片在HF酸溶液中I-V扫描曲线、不同电流密度条件下硅阳极氧化反应机理，系统地分析研究了腐蚀电压对宏孔硅阵列形貌的影响.研究结果表明：电压升高使孔型变差，电压降低则盲孔率提高，腐蚀电压恒定、长时间腐蚀孔将逐渐分叉。根据理论分析，优化了工艺参数，制备出高长径比宏孔硅阵列结构，孔深度为317 m，方孔边长为3 m，长径比为105。
%K etching voltage
%K macroporous silicon arrays
%K photo-electrochemical etching
%K blind porosity<br>腐蚀电压
%K 宏孔硅阵列
%K 光电化学腐蚀
%K 盲孔率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E89542176259B77051369ACB7D61126F&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=49546E04DF338BC6&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0