Improved light extraction of wafer-bonded AlGaInP LEDs by surface roughening
表面粗化提高倒装AlGaInP发光二极管的光提取效率

对发光二极管进行表面粗化能够大幅度的提高其光提取效率。利用晶片键合技术并采用湿法刻蚀的办法粗化n面AlGaInP表面制作了一种带表面粗化的倒装薄膜发光二极管。刻蚀后的表面形貌呈现金字塔状。270μm x 270μm管芯裸装在TO-18金属管座上，在20mA的注入电流下，粗化了的LED-I光强达到了315mcd，输出光功率达到了4.622mW，比没有粗化的LED-II的光功率高1.7倍。光功率增加的原因在于粗化后形成的这种金字塔状表面，其不但减少了背部镜面系统和半导体-空气接触面的反射，而且能有效的将光从LED中散射出去。