%0 Journal Article
%T Improved light extraction of wafer-bonded AlGaInP LEDs by surface roughening<br>表面粗化提高倒装AlGaInP发光二极管的光提取效率
%A Liu Zike
%A Gao Wei
%A Xu Chen
%A Zou Desu
%A Qin Yuan
%A Guo Jing
%A Shen Guangdi
%A <br>刘自可
%A 高伟
%A 徐晨
%A 邹德恕
%A 秦园
%A 郭靖
%A 沈光池
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 对发光二极管进行表面粗化能够大幅度的提高其光提取效率。利用晶片键合技术并采用湿法刻蚀的办法粗化n面AlGaInP表面制作了一种带表面粗化的倒装薄膜发光二极管。刻蚀后的表面形貌呈现金字塔状。270μm x 270μm管芯裸装在TO-18金属管座上，在20mA的注入电流下，粗化了的LED-I光强达到了315mcd，输出光功率达到了4.622mW，比没有粗化的LED-II的光功率高1.7倍。光功率增加的原因在于粗化后形成的这种金字塔状表面，其不但减少了背部镜面系统和半导体-空气接触面的反射，而且能有效的将光从LED中散射出去。
%K AlGaInP
%K light-emitting diodes (LEDs)
%K metal bonding
%K surface roughening<br>铝镓铟磷，发光二极管，金属键合，表面粗化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B3A1184306B6A32291375C790FA2B611&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=05D24626934CD554&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0