Single-Lobe Phase-Locked Trapezoidal Channel Substrate Inner Stripe Semiconductor Laser Array
远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵

Keywords: Trapezoidal channel substrate,Inner stripe,Single-step liquid phase epitaxy,Array
半导体激光器,梯形,沟道衬底,列阵

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。

Full-Text