%0 Journal Article
%T Single-Lobe Phase-Locked Trapezoidal Channel Substrate Inner Stripe Semiconductor Laser Array<br>远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵
%A ZHAO Fanghai/
%A <br>赵方海
%A 杜国同
%A 张晓波
%A 高鼎三
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。
%K Trapezoidal channel substrate
%K Inner stripe
%K Single-step liquid phase epitaxy
%K Array<br>半导体激光器
%K 梯形
%K 沟道衬底
%K 列阵
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=467FEFDCB3289E3B&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E44E40A2398D4F2A&eid=E203FB1A272C9DD2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0