Broadband MMIC Power Amplifier for C-X-Ku-Band Applications
应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器
Keywords: GaAs,PHEMT,MMIC,power amplifier,C-X-Ku broadband
砷化镓,赝配高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,功率放大器,C-X-Ku波段,GaAs,PHEMT,MMIC,power,amplifier,C-X-Ku,broadband,应用,波段,宽带功率放大器,Applications,Power,Amplifier,MMIC,best,output,power,gain,flatness,applications,knowledge,input,return,loss,frequency,maximum,above,operation,average,power,gain,block
Abstract:
采用0.25μm AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT工艺技术,研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片.在6～18GHz的工作频率下,放大器的平均功率增益为19dB,输出功率大于33.3dBm,在10GHz处有最大输出功率34.7dBm,输入回波损耗S11低于-10dB,输出回波损耗S22低于-6dB.与报道的C-X-Ku频段宽带功率放大器相比,有较好的功率平坦度.
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