%0 Journal Article
%T Broadband MMIC Power Amplifier for C-X-Ku-Band Applications<br>应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器
%A Zhang Shujing
%A Yang Ruixi
%A Zhang Yuqing
%A Gao Xuebang
%A Yang Kewu
%A <br>张书敬
%A 杨瑞霞
%A 张玉清
%A 高学邦
%A 杨克武
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 采用0.25μm AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT工艺技术,研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片.在6～18GHz的工作频率下,放大器的平均功率增益为19dB,输出功率大于33.3dBm,在10GHz处有最大输出功率34.7dBm,输入回波损耗S11低于-10dB,输出回波损耗S22低于-6dB.与报道的C-X-Ku频段宽带功率放大器相比,有较好的功率平坦度.
%K GaAs
%K PHEMT
%K MMIC
%K power amplifier
%K C-X-Ku broadband<br>砷化镓
%K 赝配高电子迁移率晶体管
%K 微波单片集成电路
%K 功率放大器
%K C-X-Ku波段
%K GaAs
%K PHEMT
%K MMIC
%K power
%K amplifier
%K C-X-Ku
%K broadband
%K 应用
%K 波段
%K 宽带功率放大器
%K Applications
%K Power
%K Amplifier
%K MMIC
%K best
%K output
%K power
%K gain
%K flatness
%K applications
%K knowledge
%K input
%K return
%K loss
%K frequency
%K maximum
%K above
%K operation
%K average
%K power
%K gain
%K block
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=08D87FF084655018&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C81F81170838C444&eid=AB1DE136C335A86C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8