A low noise CMOS RF front-end for UWB 6--9 GHz applications
一种应用于6-9GHz UWB系统的低噪声CMOS射频前端设计

本文介绍了一种应用于6-9 GHz超宽带系统的全集成差分CMOS射频前端电路设计。在该前端电路中应用了一种电阻负反馈形式的低噪声放大器和IQ两路合并结构的增益可变的折叠式正交混频器。芯片通过TSMC 0.13μm RF CMOS工艺流片，含ESD保护电路。经测试得该前端电路大电压增益为23~26dB，小电压增益为16~19dB；大增益下前端电路平均噪声系数为3.3-4.6dB，小增益下的带内输入三阶交调量(IIP3)为-12.6dBm。在1.2V电压下，消耗的总电流约为17mA。