%0 Journal Article
%T A low noise CMOS RF front-end for UWB 6--9 GHz applications<br>一种应用于6-9GHz UWB系统的低噪声CMOS射频前端设计
%A Zhou Feng
%A Gao Ting
%A Lan Fei
%A Li Wei
%A Li Ning
%A Ren Junyan
%A <br>周锋
%A 高亭
%A 兰飞
%A 李巍
%A 李宁
%A 任俊彦
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文介绍了一种应用于6-9 GHz超宽带系统的全集成差分CMOS射频前端电路设计。在该前端电路中应用了一种电阻负反馈形式的低噪声放大器和IQ两路合并结构的增益可变的折叠式正交混频器。芯片通过TSMC 0.13μm RF CMOS工艺流片，含ESD保护电路。经测试得该前端电路大电压增益为23~26dB，小电压增益为16~19dB；大增益下前端电路平均噪声系数为3.3-4.6dB，小增益下的带内输入三阶交调量(IIP3)为-12.6dBm。在1.2V电压下，消耗的总电流约为17mA。
%K CMOS
%K Ultra-wideband (UWB)
%K resistive feedback low noise amplifier (LNA)
%K folded quadrature mixer
%K noise figure
%K linearity<br>互补金属氧化物硅，超宽带，电阻负反馈低噪声放大器，折叠式正交混频器，噪声系数，线性度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=18FC9D27C3222AD8327E975AAC9F9C70&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A934AF033F4A2C78&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0