Effect of substrate temperature on the properties of deep ultraviolet transparent conductive ITO/Ga2
衬底温度对ITO/Ga2O3深紫外透明导电薄膜性能的影响

用磁控溅射的方法在石英玻璃上制备了ITO/Ga2O3双层膜。用X射线衍射仪、扫描电镜、双光束分光光度计和霍尔效应测试仪研究了衬底温度对ITO/Ga2O3双层膜的结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。双层膜结构受衬底温度的影响,当衬底温度从100C 升高到 350C时,薄膜的电阻率由6.71′10-3 Ω.cm 降到 1.91′10-3 Ω.cm。衬底温度300C制备的ITO(22nm)/Ga2O3(50nm)双层膜的面电阻为373.3Ω,在300nm波长的深紫外透过率为78.97%。