%0 Journal Article
%T Effect of substrate temperature on the properties of deep ultraviolet transparent conductive ITO/Ga2<br>衬底温度对ITO/Ga2O3深紫外透明导电薄膜性能的影响
%A Li Ting
%A Yan Jinliang
%A Ding Xingwei
%A Zhang Liying
%A <br>李厅
%A 闫金良
%A 丁星伟
%A 张丽英
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 用磁控溅射的方法在石英玻璃上制备了ITO/Ga2O3双层膜。用X射线衍射仪、扫描电镜、双光束分光光度计和霍尔效应测试仪研究了衬底温度对ITO/Ga2O3双层膜的结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。双层膜结构受衬底温度的影响,当衬底温度从100C 升高到 350C时,薄膜的电阻率由6.71′10-3 Ω.cm 降到 1.91′10-3 Ω.cm。衬底温度300C制备的ITO(22nm)/Ga2O3(50nm)双层膜的面电阻为373.3Ω,在300nm波长的深紫外透过率为78.97%。
%K transparent conductive film
%K bi-layer films
%K deep ultraviolet
%K magnetron sputtering
%K gallium oxide
%K indium tin oxide<br>透明导电膜
%K 双层膜
%K 深紫外
%K 磁控溅射
%K 氧化镓
%K 铟锡氧化物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF837C3964F7310F811ED7694F59EB54&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BF23E782199E3310&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16