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ISSN: 2333-9721
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A Novel Fully-Depleted Dual-Gate MOSFET
一种新型全耗尽双栅MOSFET

Keywords: hetero-material gate,on/off current ratio,sub-threshold slope,SOI FET
异质栅,关态电流,亚阈值斜率,SOI场效应晶体管,hetero-material,gate,on/off,current,ratio,sub-threshold,slope,SOI,FET

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Abstract:

提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem-4工艺模拟和Medici器件模拟验证表明,与普通双栅全耗尽SOI相比,该器件获得了更好的开态/关态电流比和亚阈值斜率.在0.18μm工艺下,开态/关态电流比约为1010,亚阈值斜率接近60mV/dec.

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