A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE
Ku波段内匹配高功率且PAE超过30%的GaN HEMTs放大器

本文报道了一款工作于Ku波段的高功率高效率的内匹配功率放大器。该放大器采用外延于6H-SiC衬底上的栅长为0.3um、栅宽为4mm的 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管制作而成。为了改善电路的带宽，在输入输出匹配电路中分别采用了T型 预匹配网络。通过使用三维电磁仿真工具优化无源匹配网络，该放大器在Vds=30V、Vgs=-4V，占空比为10%的脉冲偏置下，获得了在13.8~14.3GHz的频率范围内最大输出功率为42.5dBm、功率附加效率为30%~36.4%以及线性增益为7~9.3dB的性能。以这样的功率和效率而言，该放大器功率密度达到4.45W/mm。