%0 Journal Article
%T A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE<br>Ku波段内匹配高功率且PAE超过30%的GaN HEMTs放大器
%A Ge Qin
%A Chen Xiaojuan
%A Luo Weijun
%A Yuan Tingting
%A Pu Yan
%A Liu Xinyu
%A <br>戈勤
%A 陈晓娟
%A 罗卫军
%A 袁婷婷
%A 蒲颜
%A 刘新宇
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文报道了一款工作于Ku波段的高功率高效率的内匹配功率放大器。该放大器采用外延于6H-SiC衬底上的栅长为0.3um、栅宽为4mm的 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管制作而成。为了改善电路的带宽，在输入输出匹配电路中分别采用了T型 预匹配网络。通过使用三维电磁仿真工具优化无源匹配网络，该放大器在Vds=30V、Vgs=-4V，占空比为10%的脉冲偏置下，获得了在13.8~14.3GHz的频率范围内最大输出功率为42.5dBm、功率附加效率为30%~36.4%以及线性增益为7~9.3dB的性能。以这样的功率和效率而言，该放大器功率密度达到4.45W/mm。
%K Ku-band
%K AlGaN/GaN HEMTs
%K IMPA
%K output power
%K PAE<br>Ku波段
%K AlGaN/GaN
%K HEMTs
%K 内匹配功率放大器
%K 输出功率
%K 功率附加效率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF837C3964F7310FC3BC621BE5B605EB&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C6A8A868801B1E20&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13