|
OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
|
|
|
|
Formation of Nickel Based Ohmic Contact to High Energy Vanadium Implanted n-Type 4H-SiC
高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成
Wang Chao, Zhang Yimen, Zhang Yuming, Guo Hui, Xu Daqing, Wang Yuehu,
王超, 张义门, 张玉明, 郭辉, 徐大庆, 王悦湖
Keywords: ohmic contact,semi-insulating SiC,V ion implantation,diffusion,carbon vacancies
欧姆接触,半绝缘碳化硅,钒离子注入,扩散,碳空位,ohmic,contact,semi-insulating,SiC,V,ion,implantation,diffusion,carbon,vacancies,高能量,注入,欧姆,接触形成,Vanadium,Energy,High,Ohmic,Contact,Based,Nickel,ohmic,contact,reduction,effective,Schottky,barrier,height,transport,atoms,evidence,carbon,vacancies,diffraction
Abstract:
借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω·cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用. Full-Text
|
|
Contact Us
service@oalib.com QQ:3279437679 
WhatsApp +8615387084133
|
|
