%0 Journal Article
%T Formation of Nickel Based Ohmic Contact to High Energy Vanadium Implanted n-Type 4H-SiC<br>高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成
%A Wang Chao
%A Zhang Yimen
%A Zhang Yuming
%A Guo Hui
%A Xu Daqing
%A Wang Yuehu
%A <br>王超
%A 张义门
%A 张玉明
%A 郭辉
%A 徐大庆
%A 王悦湖
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω·cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.
%K ohmic contact
%K semi-insulating SiC
%K V ion implantation
%K diffusion
%K carbon vacancies<br>欧姆接触
%K 半绝缘碳化硅
%K 钒离子注入
%K 扩散
%K 碳空位
%K ohmic
%K contact
%K semi-insulating
%K SiC
%K V
%K ion
%K implantation
%K diffusion
%K carbon
%K vacancies
%K 高能量
%K 注入
%K 欧姆
%K 接触形成
%K Vanadium
%K Energy
%K High
%K Ohmic
%K Contact
%K Based
%K Nickel
%K ohmic
%K contact
%K reduction
%K effective
%K Schottky
%K barrier
%K height
%K transport
%K atoms
%K evidence
%K carbon
%K vacancies
%K diffraction
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5646F94D35B54F6F2F68B6670EE6380F&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=E8EA62718B1C7FA9&eid=3183893ED5218CD5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=21