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ISSN: 2333-9721
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注F场氧介质总剂量辐照的研究

Keywords: MOS器件,注F场氧介质,MOSFET,总剂量辐照

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Abstract:

分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性,结果表明,由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用,导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连,而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。

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