全部 标题 作者 关键词 摘要
Keywords: MOS器件,注F场氧介质,MOSFET,总剂量辐照
Full-Text Cite this paper Add to My Lib
分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性,结果表明,由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用,导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连,而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。
Full-Text
Contact Us
service@oalib.com
QQ:3279437679
WhatsApp +8615387084133