%0 Journal Article
%T 注F场氧介质总剂量辐照的研究
%A 张国强
%A 余学锋
%A 郭旗
%A 任迪远
%A 严荣良
%A 赵元富
%A 胡浴红
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性，结果表明，由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用，导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连，而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。
%K MOS器件
%K 注F场氧介质
%K MOSFET
%K 总剂量辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6A0DF45E894EDE19&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4D4C81DBA842B7BD&eid=8F2250DA83AF77B8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=9