Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS
薄栅氧高压CMOS器件研制
Liu Kuiwei,
Han Zhengsheng,
Qian He,
Chen Zerui,
Yu Yang,
Xian Wenling,
Rao Jingshi,
刘奎伟,
韩郑生,
钱鹤,
陈则瑞,
于洋,
仙文岭,
饶竞时
Keywords: 0.5μm,高压CMOS,高低压兼容,CMOS工艺,驱动电路
Abstract:
研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .
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