%0 Journal Article
%T Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS<br>薄栅氧高压CMOS器件研制
%A Liu Kuiwei
%A Han Zhengsheng
%A Qian He
%A Chen Zerui
%A Yu Yang
%A Xian Wenling
%A Rao Jingshi
%A <br>刘奎伟
%A 韩郑生
%A 钱鹤
%A 陈则瑞
%A 于洋
%A 仙文岭
%A 饶竞时
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .
%K 0.5μm
%K 高压CMOS
%K 高低压兼容
%K CMOS工艺
%K 驱动电路
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E57772A75B6C4EE2&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=94C357A881DFC066&sid=6D6B4A516C7DB6EE&eid=6A9657F54F754BF6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6