InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究

本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光（PL）谱的正常及异常温度特性；观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰能却比10K下光致发光峰能高的实验事实．提出了外延层分为岛状、短程有序起始生长区、过渡区、多元均匀混晶区模型来解释PL谱低温下局部温度特性异常问题；认为PL谱反常温度特性与晶格弛豫有关．