%0 Journal Article
%T InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究
%A 丁国庆
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光（PL）谱的正常及异常温度特性；观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰能却比10K下光致发光峰能高的实验事实．提出了外延层分为岛状、短程有序起始生长区、过渡区、多元均匀混晶区模型来解释PL谱低温下局部温度特性异常问题；认为PL谱反常温度特性与晶格弛豫有关．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B3BC22C343388A0&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=106103EB0EA31435&eid=0A8675156EB60B87&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0