Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing
退火过程中自组织生长

在超高真空系统中 ,用扫描隧道显微镜 (STM)和原子力显微镜 (AFM)研究了自组织生长的 Ge量子点经不同温度退火后的变化 .实验发现 ,当退火温度为 6 30℃时 ,出现了许多新的量子点 .与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比 ,新形成的量子点被认为是存在位错的岛