%0 Journal Article
%T Evolution of Self-Organized Ge Quantum Dots During Ultra High Vacuum Annealing<br>退火过程中自组织生长
%A Hu Dongzhi
%A Yang Jianshu
%A Cai Qun
%A Zhang Xiangjiu
%A Hu Jihuang
%A Jiang Zuimin
%A <br>胡冬枝
%A 杨建树
%A 蔡群
%A 张翔九
%A 胡际璜
%A 蒋最敏
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 在超高真空系统中 ,用扫描隧道显微镜 (STM)和原子力显微镜 (AFM)研究了自组织生长的 Ge量子点经不同温度退火后的变化 .实验发现 ,当退火温度为 6 30℃时 ,出现了许多新的量子点 .与原来的在分子束外延过程中形成的无失配位错的量子点相比 ,新形成的量子点被认为是存在位错的岛
%K quantum dots
%K Si
%K based materials
%K evolution of morphology
%K atomic force microscopy<br>量子点
%K 硅基材料
%K 形貌评价
%K AFM
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7BC58EF13D9B136B&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B4F9D541F855CF96&eid=2497388423811B81&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9