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Keywords: β-FeSi2,退火,光电子材料,外延生长,薄膜
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本文采用反应沉积-团相外延法制备β-FeSi2溥膜.不同温度及持续时间的后退火处理的X射线衍射分析表明降低衬底温度,延长退火时间可以提高样品晶体质量.利用卢瑟福背散射方法研究了β-FeSi2的形成过程中的Si的扩散。探讨了退火形成β-FeSi2的形成机制.
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