%0 Journal Article
%T 退火条件对β—FeSi_2形成的影响
%A 陈向东
%A 王连卫
%A 林贤
%A 林成鲁
%A 邹世昌
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文采用反应沉积－团相外延法制备β－ＦｅＳｉ２溥膜．不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量．利用卢瑟福背散射方法研究了β－ＦｅＳｉ２的形成过程中的Ｓｉ的扩散。探讨了退火形成β－ＦｅＳｉ２的形成机制．
%K β－FeSi2
%K 退火
%K 光电子材料
%K 外延生长
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A6C4EC64586B2FA4EE&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=89FA2FA9891FF61E&eid=97747634025A5F36&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0