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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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3C-SiC Growth on SOI with High Silicon-Over-Layer
厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长

Keywords: SOI,SiC,large lattice mismatch,residual strain,void
SOI
,SiC,大失配,残存应变,空洞

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Abstract:

利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底.Raman光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况

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