%0 Journal Article
%T 3C-SiC Growth on SOI with High Silicon-Over-Layer<br>厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长
%A Wang Xiaofeng
%A Wang Lei
%A Zhao Wanshun
%A Sun Guosheng
%A Huang Fengyi
%A Zeng Yiping
%A <br>王晓峰
%A 王雷
%A 赵万顺
%A 孙国胜
%A 黄风义
%A 曾一平
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底.Raman光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况
%K SOI
%K SiC
%K large lattice mismatch
%K residual strain
%K void<br>SOI
%K SiC
%K 大失配
%K 残存应变
%K 空洞
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5147DEF1051C94BE&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=1396DEC9DD671DC4&eid=C48302AEE9AFB6AE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=17