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半导体学报 2002
Influence of High Pressure Heat Treatment on Nucleation of Oxygen Precipitation at Low Temperature in CZ Silicon
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Abstract:
研究了外加高压 (1GPa)下对 45 0℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响 .透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品 ,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀 ,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成 .电学性能测试表明 ,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品 ,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系
