%0 Journal Article
%T Influence of High Pressure Heat Treatment on Nucleation of Oxygen Precipitation at Low Temperature in CZ Silicon<br>高压热处理对氧沉淀低温形核的影响
%A Xu Jin
%A Yang Deren
%A Ma Xiangyang
%A Li Chunlong
%A Que Duanlinand AMisiuk
%A <br>徐进
%A 杨德仁
%A 马向阳
%A 李春龙
%A 阙端麟
%A A Misiuk
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了外加高压 (1GPa)下对 45 0℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响 .透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品 ,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀 ,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成 .电学性能测试表明 ,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品 ,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系
%K high pressure
%K oxygen precipitation
%K thermal donor
%K silicon<br>高压
%K 氧沉淀
%K 热施主
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9C495069285AD9AF&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=0BD4FAD4A90498AB&eid=4F0B2F798E08B761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=19