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半导体学报 2002
Two-Dimensional Simulation of SiC Merged PiN/Schottky Diodes
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Abstract:
利用模拟软件 MEDICI对碳化硅混合 Pi N / Schottky二极管 ( MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟 .输运机理的模拟结果表明 MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用 ,而反向时 PN结使漏电流大大减小 .伏安特性的模拟结果表明 MPS的正向压降小 ,电流密度大 ,在 2 V正向偏压下达 10 - 5A/μm ,反向漏电流小 ,击穿电压高( 2 0 0 0 V左右 ) ,可以通过改变肖特基和 PN结的面积比来调整 MPS的性能 ,与硅 MPS、碳化硅 PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势 ,是理想的功率整流器
