%0 Journal Article
%T Two-Dimensional Simulation of SiC Merged PiN/Schottky Diodes<br>碳化硅混合PiN/Schottky二极管的二维模拟
%A 牛新军
%A 张玉明
%A 张义门
%A 吕红亮
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 利用模拟软件 MEDICI对碳化硅混合 Pi N / Schottky二极管 ( MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟 .输运机理的模拟结果表明 MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用 ,而反向时 PN结使漏电流大大减小 .伏安特性的模拟结果表明 MPS的正向压降小 ,电流密度大 ,在 2 V正向偏压下达 10 - 5A/μm ,反向漏电流小 ,击穿电压高( 2 0 0 0 V左右 ) ,可以通过改变肖特基和 PN结的面积比来调整 MPS的性能 ,与硅 MPS、碳化硅 PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势 ,是理想的功率整流器
%K silicon carbide
%K MPS
%K two-dimensional simulatio n
%K MEDICI
%K transport mechanics
%K I-V characteristics<br>碳化硅
%K MPS
%K 二维模拟
%K MEDICI
%K 输运机理
%K 伏安特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=88FA182FD2BE2E6B&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=5A751AE9FA58A3FB&eid=91BAD12CFABB3251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11