全部 标题 作者 关键词 摘要
Keywords: 半导体材料,载流子,异质结构
Full-Text Cite this paper Add to My Lib
用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。
Full-Text
Contact Us
service@oalib.com
QQ:3279437679
WhatsApp +8615387084133