%0 Journal Article
%T 非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据
%A 徐士杰
%A 江德生
%A 李国华
%A 张耀辉
%A 罗晋生
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。
%K 半导体材料
%K 载流子
%K 异质结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2EDD84FC72201E60&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=A22854835F81B3F8&eid=0BD4FAD4A90498AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3