%0 Journal Article
%T TiSi_2　Polycide　LDD　MOS工艺研究
%A 徐秋霞
%A 龚义元
%A 张建欣
%A 扈焕章
%A 汪锁发
%A 李卫宁
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压
%K MOS
%K 多晶硅复合栅
%K 场效应
%K 工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=833C9B55BD35FF6C&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=94C357A881DFC066&sid=3E3EF0DB5E6F2DA9&eid=2E41258BCB9A7DB2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1