常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能

利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜．用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率，并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析．研究表明：ZnO薄膜浅施主能级为20.4meV，温度较低时，以电离杂质散射为主，温度较高时，以极性光学波散射为主．