%0 Journal Article
%T 常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能
%A 周鹏
%A 王立
%A 方文卿
%A 蒲勇
%A 戴江南
%A 江风益
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜．用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率，并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析．研究表明：ZnO薄膜浅施主能级为20.4meV，温度较低时，以电离杂质散射为主，温度较高时，以极性光学波散射为主．
%K ZnO
%K MOCVD
%K 迁移率
%K 载流子浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9D85238FA5BC842A&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=38B194292C032A66&sid=51F9E747BA1ACB45&eid=B7B25E832E7F23D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14