簿全耗尽SOI膜N沟道MOSFET强反型电流模型

本文在仔细分析薄膜SOI器件特点及其特殊物理效应的基础上,发展了电路模拟所需要的N沟道薄全耗尽SOI膜MOSFET强反型电流模型.模拟计算和实际SOI器件测试结果之间的对比证实,在合理提取器件参数的情况下,该模型公式可较好地描述薄膜SOI器件的电流特性.