%0 Journal Article
%T 簿全耗尽SOI膜N沟道MOSFET强反型电流模型
%A 程玉华
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文在仔细分析薄膜SOI器件特点及其特殊物理效应的基础上,发展了电路模拟所需要的N沟道薄全耗尽SOI膜MOSFET强反型电流模型.模拟计算和实际SOI器件测试结果之间的对比证实,在合理提取器件参数的情况下,该模型公式可较好地描述薄膜SOI器件的电流特性.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F0D72E0E94F335C4&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=4002B7787911C73B&eid=4AB4178709047BE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0